一种气体缓冲机构及蚀刻机
授权
摘要
本申请公开了一种气体缓冲机构及蚀刻机，气体缓冲组件包括静电吸附件以及缓冲件。静电吸附件内设置有沿预设方向延伸的通孔，静电吸附件具有承载面，通孔延伸至承载面，预设方向与承载面垂直；缓冲件穿设于通孔，缓冲件上开设有多个第一输气通道，第一输气通道的出气口靠近承载面所在平面，且与通孔连通。晶圆吸附在承载面上，带有温度的气体通过第一输气通道与晶圆表面接触，对晶圆的温度进行调节，使晶圆的温度达到刻蚀所需的最优温度；第一输气通道相较于相关技术减小了输送气体的空间，避免了较多的杂质离子的聚集形成较大的电势差，进而也避免了电弧的产生。
基本信息
专利标题 ：
一种气体缓冲机构及蚀刻机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122389276.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
CN216698290U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
高毅豆海清完颜俊雄钟杜宋旭单静静
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京恒博知识产权代理有限公司
代理人 ：
张琦
优先权 ：
CN202122389276.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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