发光二极管的反光结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种发光二极管的反光结构，包括两根引脚、发光芯片及透光罩，所述两根引脚并列设置，所述发光芯片通过导线分别与两根引脚连通，所述透光罩下端罩设于发光芯片表面，所述透光罩外围设置有反光罩，所述反光罩设置于透光罩中部，且所述反光罩位于发光芯片上方，所述反光罩成渐缩状，所述反光罩的直径从透光罩下端朝向透光罩上端逐渐收缩。本实用新型提供了一种发光二极管的反光结构，能够增强发光二极管背面的发光亮度，从而使发光二极管的两面均能发出人们所需要的光亮。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管的反光结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021945286.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-08
授权号 ：
CN212907790U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
龚善苏微微苏孝彪刘中英占美玲
申请人 ：
深圳市昭祺科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区沙井街道后亭社区大埔北路佳领域工贸大厦第3层A座302号
代理机构 ：
深圳知帮办专利代理有限公司
代理人 ：
颜为华
优先权 ：
CN202021945286.8
主分类号 ：
H01L33/58
IPC分类号 ：
H01L33/58 H01L33/60 H01L33/48
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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