高压发生器及X射线设备
授权
摘要
本申请提供了一种高压发生器及X射线设备。所述高压发生器包括：二极管阵列、屏蔽器件以及栅控电源。所述屏蔽器件与所述二极管阵列间隔设置。所述屏蔽器件在第一方向的投影至少部分覆盖所述二极管阵列。所述栅控电源与所述屏蔽器件间隔设置。所述栅控电源与所述二极管阵列电连接。所述屏蔽器件设置于所述二极管阵列和所述栅控电源之间。本申请可通过所述屏蔽器件减小所述二极管阵列与所述栅控电源之间的寄生电容，同时增加所述二极管阵列对屏蔽器件的寄生电容，从而在打火时可有效保护所述二极管阵列，避免所述二极管阵列因打火时产生的电压突变而损坏。
基本信息
专利标题 ：
高压发生器及X射线设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022168227.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
CN212573068U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
柳玉锋祝国平
申请人 ：
上海联影医疗科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路2258号
代理机构 ：
北京华进京联知识产权代理有限公司
代理人 ：
樊春燕
优先权 ：
CN202022168227.0
主分类号 ：
H05G1/54
IPC分类号 ：
H05G1/54 H05G1/02
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法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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