低成本高性能IGBT模块
授权
摘要
本实用新型涉及一种低成本高性能IGBT模块。其包括封装底板、模块第一覆铜陶瓷板以及模块第二覆铜陶瓷板，在模块第一覆铜陶瓷板上设有第一IGBT芯片单元体，在模块第二覆铜陶瓷板上设有第二IGBT芯片单元体；第一IGBT芯片单元体、第二IGBT芯片单元体能与封装底板上的功率端子板组、控制端子板组适配连接，以连接成所需的IGBT拓扑电路；在所述封装底板的一端部设置控制端子覆铜陶瓷板体，控制端子板组安装在所述控制端子覆铜陶瓷板体上，且控制端子板组内的控制端子连板间相互独立。本实用新型结构紧凑，能提高IGBT模块的生产效率以及连接的可靠性，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
低成本高性能IGBT模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022287900.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN213071128U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
吕岩陈宝川朱阳军苏江
申请人 ：
芯长征微电子制造（山东）有限公司
申请人地址 ：
山东省威海市荣成市崂山南路788号
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
韩凤
优先权 ：
CN202022287900.2
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/488 H01L23/498 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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