一种新型阶梯式单晶培养架
授权
摘要
本实用新型属于实验装置技术领域，具体涉及一种新型阶梯式单晶培养架。包括有阶梯式底座和防尘罩，所述防尘罩通过转轴铰接在阶梯式底座的上端。所述阶梯式底座内部为阶梯式中空结构，在所述阶梯式中空结构内设置有与阶梯式中空结构形状相同的阶梯式基座，所述防尘罩为中空结构，在所述防尘罩的中空结构内滑动设置有防尘内壳，以便于实现对阶梯式基座的防尘。本实用新型设置了防尘罩，可以对进行防尘，防止单晶培养过程中被污染；本实用新型设置了阶梯式基座实现了培养架的扩展，提高了空间利用率。
基本信息
专利标题 ：
一种新型阶梯式单晶培养架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022520871.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-04
授权号 ：
CN213925115U
授权日 ：
2021-08-10
发明人 ：
董金龙贾泽慧宗喜梅庞然冯俊杰文斌
申请人 ：
太原师范学院
申请人地址 ：
山西省晋中市榆次区大学街319号
代理机构 ：
太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
程园园
优先权 ：
CN202022520871.X
主分类号 ：
C30B7/00
IPC分类号 ：
C30B7/00 B01L9/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
法律状态
2021-08-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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