一种制备金属配合物单晶的培养装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种制备金属配合物单晶的培养装置，涉及实验设备技术领域，解决了当前金属配合物在培养过程中存在无法实时掌握晶体析出情况的问题，其技术方案要点是：包括放置筒，放置筒上表面铰接有上盖板，且放置筒内部底端固定安装有直线电机，直线电机的输出端固定安装有与放置筒内壁匹配的承托板，承托板上表面固定安装有透光板，透光板内部中心位置固定安装有摄像头，且透光板内部外侧位置固定安装有调色环带，放置筒圆周外壁上固定安装有USB接口座；在培养过程中，可以实时检测晶体析出情况，并具有实时报警提示，降低实验人员的工作强度，并保证晶体的析出率。
基本信息
专利标题 ：
一种制备金属配合物单晶的培养装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122935984.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN216274453U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
邹丽飞
申请人 ：
赤峰学院
申请人地址 ：
内蒙古自治区赤峰市红山区机场路
代理机构 ：
重庆一叶知秋专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘洪雨
优先权 ：
CN202122935984.0
主分类号 ：
C30B7/02
IPC分类号 ：
C30B7/02 G01N21/25
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/02
溶剂蒸发法
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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