一种超大面积单晶金属箔的制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种超大面积单晶金属箔的制备方法，该制备方法主要利用如柔性石墨毡等耐高温柔性材料做为衬底将多晶金属箔卷在石墨毡中，使多晶金属箔之间相互不接触，然后将卷起来的多晶金属箔/耐高温柔性衬底放置在高温管式炉中并在含有氢气和氩气的还原性气氛中进行热退火，从而得到超大面积单晶金属箔。本发明对多晶金属箔进行退火时，金属箔尺寸不再受限于高温管式炉的尺寸限制，可以根据对金属箔尺寸的实际需求，制得超大尺寸的单晶金属箔，具有工艺简单和金属箔尺寸不受高温管式炉尺寸限制的优点，具有重要的实际应用价值。
基本信息
专利标题 ：
一种超大面积单晶金属箔的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561696A
申请号 ：
CN202210175269.8
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李雪松贾瑞涛青芳竹
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
苟铭
优先权 ：
CN202210175269.8
主分类号 ：
C30B27/00
IPC分类号 ：
C30B27/00 C30B29/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B27/00
保护流体下的单晶生长
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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