用于晶体管的砷扩散轮廓工法
公开
摘要
本公开案的实施方式关于用于形成源极/漏极延伸的方法。在一个实施方式中，一种用于形成nMOS装置的方法包括以下步骤：在半导体鳍片的第一部分上形成栅极电极与栅极隔件，移除半导体鳍片的第二部分以暴露侧壁及底部，在侧壁及底部上形成砷掺杂的硅(Si：As)层，及在Si：As层上形成源极/漏极区域。在沉积Si：As层及形成源极/漏极区域期间，砷掺杂物从Si：As层扩散至定位于栅极隔件下方的半导体鳍片的第三部分中，且第三部分变成掺杂的源极/漏极延伸区域。通过利用Si：As层，控制源极/漏极延伸区域的掺杂，导致减少的接触电阻同时减少掺杂物扩散至沟道区域中。
基本信息
专利标题 ：
用于晶体管的砷扩散轮廓工法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586177A
申请号 ：
CN202080054424.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘梦馥张芳松叶祉渊
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202080054424.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/205 H01L21/225 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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