低压下的高密度、模量和硬度的非晶碳膜
实质审查的生效
摘要
本文提供了用于使用双频射频部件在低压室中的衬底上沉积可灰化硬掩模(AHM)的方法和相关装置。低压等离子体增强化学气相沉积可用于增加AHM的蚀刻选择性，从而使得能使用薄的AHM以用于半导体处理操作。
基本信息
专利标题 ：
低压下的高密度、模量和硬度的非晶碳膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342043A
申请号 ：
CN202080061227.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-08-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马修·斯科特·韦默拉格什·普顿科维拉卡姆戈登·亚历克斯·麦克唐纳德张绍清李石柯薛君萨曼塔·S·H·坦赵熙祝玛丽·安妮·马努姆皮尔埃里克·A·赫德森许金瑞
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
李献忠
优先权 ：
CN202080061227.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/033 H01L21/311 H01J37/32 C23C16/26 C23C16/46 C23C16/505
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20200828
申请日 : 20200828
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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