欧姆合金触点区域密封层
实质审查的生效
摘要
形成欧姆触点密封层，所述欧姆触点密封层被设置在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处；在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处形成欧姆触点密封层；并将带有欧姆触点的半导体利用化学蚀刻剂处理。
基本信息
专利标题 ：
欧姆合金触点区域密封层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114375490A
申请号 ：
CN202080063775.7
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-08-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·J·杜瓦尔J·P·贝当古J·W·麦克利蒙兹P·M·奥尔康P·C·巴拉斯二世M·S·戴维斯
申请人 ：
雷声公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王永建
优先权 ：
CN202080063775.7
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L23/31 H01L29/20 H01L29/423 H01L29/45
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/283
申请日 : 20200803
申请日 : 20200803
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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