含有硬化的间隙填充电介质材料的MRAM装置
实质审查的生效
摘要
具有改进的化学和物理性质的硬化的间隙填充电介质材料横向邻近存储器结构的多层磁隧道结(MTJ)柱和顶部电极结构形成。硬化的间隙填充电介质材料可通过经由离子注入将断键添加剂引入到沉积态的间隙填充电介质材料层中，然后固化包含断键添加剂的间隙填充电介质材料层而形成。固化包括单独的UV固化，或UV固化与激光退火的组合。本申请中所采用的固化不会不利地影响MTJ柱或顶部电极结构。
基本信息
专利标题 ：
含有硬化的间隙填充电介质材料的MRAM装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424354A
申请号 ：
CN202080065074.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A.雷兹尼塞克D.西尔O.格卢申科夫Y.苏莱里亚
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约阿芒克
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王蕊瑞
优先权 ：
CN202080065074.7
主分类号 ：
H01L43/02
IPC分类号 ：
H01L43/02 H01L43/08
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/02
申请日 : 20200922
申请日 : 20200922
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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