气体引入装置以及使用该气体引入装置的基板处理装置
公开
摘要
根据本公开的一个实施例的气体引入装置包括：设置在腔室上方的气体馈送块，所述气体馈送块包括多个气体通道，所述多个气体通道设置在所述气体馈送块中以向所述腔室供应气体；与所述气体馈送块的一个侧表面耦接的阀门组件，所述阀门组件包括用于选择地开启/关闭所述多个气体通道中的至少一个气体通道的多个阀门；以及气体引入管，所述气体引入管的一端耦接到所述阀门组件，另一端与所述腔室连通。在所述多个气体通道中的至少一个气体通道提供了缓冲空间，以使所述缓冲空间设置成与所述气体引入管相邻，由此累积气体。
基本信息
专利标题 ：
气体引入装置以及使用该气体引入装置的基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114467170A
申请号 ：
CN202080066352.0
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-08-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
河闰圭金起范金鍾植赵一衡黄喆周
申请人 ：
周星工程股份有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立康律师事务所
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN202080066352.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 C23C16/455
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
