气体供给装置、基板处理装置及供给气体设定方法
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摘要
在气体供给装置(100)上设置具有多个气体供给源的第一气体箱(111)和具有多个附加气体供给源的第二气体箱(113)。各气体供给源连接有混合管道(120)，混合管道(120)连接有通过不同缓冲室(63a、63b)的分支管道(122、123)。分支管道中分别设有压力调整部，由压力比控制部(126)调整压力比。在分支管道(123)的压力调整部下游侧连接有通过第二气体箱(113)的附加气体供给管道(130)。第一气体箱(111)的各气体由混合管道(120)混合，由分支管道分流，供给到各缓冲室。分支管道(123)上附加有第二气体箱(113)的附加气体，向缓冲室(63b)供给与缓冲室(63a)不同的混合气体。由此由简单管道结构向处理容器的多处供给任意的混合气体。
基本信息
专利标题 ：
气体供给装置、基板处理装置及供给气体设定方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1787170A
申请号 ：
CN200510130387.3
公开（公告）日 ：
2006-06-14
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
水泽兼悦伊藤惠贵伊藤昌秀
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510130387.3
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/311 H01L21/3213 C23F4/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-05-28 ：
授权
2006-08-09 ：
实质审查的生效
2006-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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