气体供给单元以及气体供给方法
授权
摘要
本发明实现一种能缩短冷却时间、从而缩短半导体制造装置的工艺时间的气体供给单元。本发明的气体供给单元(1)中，在将控制在第1温度的第1气体经由上部设备(13)供给到腔室(5)之后要将开始化学反应的反应开始温度比第1温度低的第2气体经由上部设备(13)供给至腔室(5)的情况下，在将清洁气体经由上部设备(13)供给至腔室5之前从冷却板构件(3)对形成于基座板(10)与上部设备(13)之间的空间部(S)供给冷却空气，将上部设备(13)冷却至反应开始温度以下。
基本信息
专利标题 ：
气体供给单元以及气体供给方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111663117A
申请号 ：
CN202010115771.0
公开（公告）日 ：
2020-09-15
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN111663117B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
稲垣竹矢
申请人 ：
CKD株式会社
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
何冲
优先权 ：
CN202010115771.0
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20200225
申请日 : 20200225
2020-09-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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