气体供给环和基片处理装置
公开
摘要
本发明提供一种具有多个流路的紧凑的气体供给环和包括该气体供给环的基片处理装置。一种在基片处理装置中使用的气体供给环，具有内周面、外周面、位于内周面与外周面之间的第一面、和位于内周面与外周面之间且位于与第一面相反的一侧的第二面，外周面具有至少1个气体入口，第一面具有与至少1个气体入口连通的外侧凹部，第二面具有与外侧凹部连通的第一中间凹部和第二中间凹部，第一面还具有配置在外侧凹部的内侧的第一内侧凹部～第四内侧凹部，第一内侧凹部和第二内侧凹部与第一中间凹部连通，第三内侧凹部和第四内侧凹部与第二中间凹部连通，内周面具有多个气体出口，各气体出口与第一内侧凹部～第四内侧凹部中的任意1个连通。
基本信息
专利标题 ：
气体供给环和基片处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381717A
申请号 ：
CN202111146592.4
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
今田祥友
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202111146592.4
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/455 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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