用于在3D堆叠产品中实现管芯重用的方案
公开
摘要
公开了用于将流量路由通过竖直堆叠的半导体管芯的系统、设备和方法。在三维集成电路中，第一半导体管芯具有竖直堆叠在其顶部上的第二管芯。第一管芯包括不穿过第一管芯的穿硅通孔(TSV)互连件。第一管芯包括在TSV上方的一个或多个金属层，所述一个或多个金属层通过接合焊盘通孔连接到接合焊盘接口。如果通过第一管芯的TSV传递的信号由第二管芯共享，则第二管芯包括与第一管芯的接合焊盘接口对齐的TSV。如果第二管芯不共享这些信号，则第二管芯包括与接合焊盘接口对齐的晶片背面的绝缘部分。
基本信息
专利标题 ：
用于在3D堆叠产品中实现管芯重用的方案
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114467174A
申请号 ：
CN202080067242.6
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约翰·J·吴米林德·S·巴格瓦特布雷特·P·威尔克森拉胡尔·阿加瓦尔
申请人 ：
超威半导体公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
樊英如
优先权 ：
CN202080067242.6
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/48 H01L23/528 H01L25/065 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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