辐射管道
实质审查的生效
摘要
公开了一种用于EUV光刻设备的辐射源。辐射源包括:腔室,包括等离子体形成区域;辐射收集器,被布置在腔室中,被配置成收集在等离子体形成区域发射的辐射并将所收集的辐射引向中间焦点区域;以及辐射管道,设置在辐射收集器和中间焦点区域之间。辐射管道包括:在辐射管道的壁的内表面上的用于引导保护性气流的至少一个出口,以及从辐射管道的壁的内表面延伸并且被配置成重新引导保护性气流的至少一个引导部分。还公开了一种通过将保护性气流提供到辐射管道的至少一个出口来减少辐射管道中的碎片和/或蒸汽沉积的方法。
基本信息
专利标题 :
辐射管道
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114450637A
申请号 :
CN202080067333.X
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-09-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
R·J·E·海曼斯G·范德瓦斯特拉顿I·范德瓦哈伦J·S·C·维斯特尔拉肯
申请人 :
ASML荷兰有限公司
申请人地址 :
荷兰维德霍温
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
胡良均
优先权 :
CN202080067333.X
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20200908
申请日 : 20200908
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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