射频功率返回路径
公开
摘要
本文中提出的实施例涉及处理腔室中的射频(RF)接地。在一个实施例中，介电板设置在处理腔室的腔室主体与盖之间。介电板横向延伸到由腔室主体和盖界定的容积中。基板支撑件设置在与盖相对的容积中。基板支撑件包括设置在杆上的支撑主体。支撑主体包括中心区域和周边区域。周边区域在中心区域的径向外侧。中心区域的厚度小于周边区域的厚度。凸缘设置为与周边区域的底表面相邻。凸缘从周边区域的外边缘径向向外延伸。波纹管设置在凸缘上并配置成密封地耦接到介电板。
基本信息
专利标题 ：
射频功率返回路径
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114502771A
申请号 ：
CN202080069816.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-07-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
L·布恩卡特D·伯拉尼克T·A·恩古耶A·K·班塞尔
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
汪骏飞
优先权 ：
CN202080069816.3
主分类号 ：
C23C16/509
IPC分类号 ：
C23C16/509 C23C16/458 H01J37/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/505
采用射频放电
C23C16/509
采用内电极
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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