含氧化钇膜的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及利用原子层沉积法的含氧化钇膜的制造方法，其包括以下工序：将含有三(仲丁基环戊二烯基)钇的薄膜形成原料气化而得到的原料气体导入处理气氛中，在基体上沉积三(仲丁基环戊二烯基)钇的工序；以及，使在所述基体上沉积的三(仲丁基环戊二烯基)钇与含有选自氧等离子体、臭氧、臭氧等离子体以及它们的混合物中的气体的反应性气体在处理气氛中反应，将钇氧化的工序。
基本信息
专利标题 ：
含氧化钇膜的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114502770A
申请号 ：
CN202080069857.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西田章浩山下敦史
申请人 ：
株式会社ADEKA
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
吴宗颐
优先权 ：
CN202080069857.2
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20200924
申请日 : 20200924
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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