一种高导电A位高熵纳米金属氧化物及其制备方法
授权
摘要
本发明涉及新材料领域旨在提供一种高导电A位高熵纳米金属氧化物及其制备方法。该金属氧化物的分子式为Gd0.4Er0.3La0.4Nd0.5Y0.4)(Zr0.7,Sn0.8,V0.5)O7；其外观呈粉体状，微观结构显示为边长4～12nm、厚度1～3nm的正方形纳米片。相对于现有的高熵氧化物，本发明的产品具有高导电的特点，能够在导电合金、电接触复合材料、导电复合材料、多功能生物基复合材料、导电/抗静电功能复合涂层等方面得到更好的应用。
基本信息
专利标题 ：
一种高导电A位高熵纳米金属氧化物及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113023777A
申请号 ：
CN202110115158.3
公开（公告）日 ：
2021-06-25
申请日 ：
2021-01-28
授权号 ：
CN113023777B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
张玲洁蔡伟炜暴宁钟
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 ：
周世骏
优先权 ：
CN202110115158.3
主分类号 ：
C01G31/00
IPC分类号 ：
C01G31/00 C01G31/02 B82Y40/00 B82Y30/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G31/00
钒的化合物
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-07-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 31/00
申请日 : 20210128
申请日 : 20210128
2021-06-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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