图形化沉积ZnO功能层的方法、应变传感器及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种图形化沉积ZnO功能层的方法、应变传感器及其制备方法，图形化沉积ZnO功能层的方法，首先基于流延刮膜工艺制备表面惰性的聚偏二氟乙烯膜，随后利用简易的图形掩膜版对聚偏二氟乙烯膜表面进行等离子体活性处理，最后在处理后的聚偏二氟乙烯膜表面沉积得到图形化的ZnO功能层。该方法的主要优点是简单有效，可以在未来超薄的柔性电子器件的设计制备方面具有实用价值。
基本信息
专利标题 ：
图形化沉积ZnO功能层的方法、应变传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113005432A
申请号 ：
CN202110187982.X
公开（公告）日 ：
2021-06-22
申请日 ：
2021-02-18
授权号 ：
CN113005432B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
张洁孙超张易军叶作光任巍
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
王艾华
优先权 ：
CN202110187982.X
主分类号 ：
C23C18/12
IPC分类号 ：
C23C18/12 C23C18/06 G01B7/16
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆；接触镀
C23C18/02
热分解法
C23C18/12
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-07-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 18/12
申请日 : 20210218
申请日 : 20210218
2021-06-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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