本发明公开了一种低温柔性应变传感器的制备方法，其特征在于包括：步骤1，通过模具成型法的方式，制备柔性基底；步骤2，将预拉伸的柔性基底固定在磁控溅射真空室的基座上，用银靶进行溅射，并引出电极；步骤3，将CNTs和SDS粉末混合，得到分散均匀的碳纳米管导电物质；步骤4，将步骤3得到的碳纳米管导电物质沉积在步骤2的银层上，得到低温柔性应变传感器的半成品；步骤5，将步骤4得到的低温柔性应变传感器的半成品进行封装处理，得到低温柔性应变传感器。采用本发明提出的方法制备得到的传感器在低温下具有良好的柔性，优异的拉伸电学性能，大的拉伸应变范围和高灵敏度，能够应用于低温条件下人体运动状态的监测。