光学器件及其制备方法、显示面板
授权
摘要
本申请提出了一种光学器件及其制备方法、显示面板，该光学器件包括电连接的开关元件与光传感器，光传感器包括第一有源区，第一有源区内设置有第一沟道区和位于第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区中掺杂的离子种类与第二掺杂区中掺杂的离子种类不相同，第一掺杂区包括第一主掺杂区和第一次掺杂区，第一次掺杂区位于第一主掺杂区与第一沟道区之间，第一次掺杂区的离子掺杂浓度低于第一主掺杂区与第二掺杂区的离子掺杂浓度。本申请通过将光传感器设置成包括第一沟道区，位于第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区、位于第一主掺杂区与第一沟道区之间的第一次掺杂区的结构，降低光传感器的噪声，提高光传感器的灵敏度。
基本信息
专利标题 ：
光学器件及其制备方法、显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113113354A
申请号 ：
CN202110289231.9
公开（公告）日 ：
2021-07-13
申请日 ：
2021-03-18
授权号 ：
CN113113354B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
龚帆
申请人 ：
武汉华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓薇
优先权 ：
CN202110289231.9
主分类号 ：
H01L21/77
IPC分类号 ：
H01L21/77 H01L27/146 H01L27/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-07-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/77
申请日 : 20210318
申请日 : 20210318
2021-07-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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