一种基于硅通孔技术的定向耦合器

授权

摘要

本发明公开了一种基于硅通孔技术的定向耦合器，包括从上至下依次设置的上氧化层、硅衬底及下氧化层，硅衬底的中心处分别沿竖直方向设置有相互平行的TSV‑I和TSV‑II，TSV‑I的上下两端分别沿水平方向设置有上层RDL‑I和下层RDL‑I，TSV‑II的上下两端分别沿水平方向设置有上层RDL‑II和下层RDL‑II；TSV‑I和TSV‑II的铜柱外壁均包覆有氧化隔离层，掩埋于硅衬底中。本发明采用硅通孔技术大大缩小了传统微带定向耦合器的体积，实现了耦合器的小型化，且具有较好的高频特性，可以在太赫兹频率下工作。

基本信息

专利标题：

一种基于硅通孔技术的定向耦合器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113113753A

申请号：

CN202110297239.X

公开（公告）日：

2021-07-13

申请日：

2021-03-19

授权号：

CN113113753B

授权日：

2022-04-15

发明人：

王凤娟肖洒余宁梅杨媛朱樟明尹湘坤

申请人：

西安理工大学

申请人地址：

陕西省西安市碑林区金花南路5号

代理机构：

西安弘理专利事务所

代理人：

宁文涛

优先权：

CN202110297239.X

主分类号：

H01P5/18

IPC分类号：

H01P5/18

法律状态

2022-04-15 ：

授权

2021-07-30 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01P 5/18
申请日 : 20210319

2021-07-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载