一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器
授权
摘要
本发明公开了一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器，包括硅衬底，沿硅衬底的中心轴线两侧分别对称设有通孔，两个通孔内分别采用铜材料填充，二氧化硅作为铜和硅衬底之间的隔离层，即TSV‑I和TSV‑II，TSV‑I的上端连接输入臂的一端，输入臂的另一端连接RDL电感I；TSV‑I的下端连接直通臂的一端，直通臂的另一端连接RDL电感II；TSV‑II的上端连接耦合臂的一端，耦合臂的另一端连接RDL电感III，TSV‑II的下端连接隔离臂的一端，隔离臂的另一端连接RDL电感IV；本发明解决了目前定向耦合器存在的耦合度、隔离度不高且调试困难、生产环节复杂的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113113754A
申请号 ：
CN202110297244.0
公开（公告）日 ：
2021-07-13
申请日 ：
2021-03-19
授权号 ：
CN113113754B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
王凤娟肖洒余宁梅杨媛朱樟明尹湘坤
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
宁文涛
优先权 ：
CN202110297244.0
主分类号 ：
H01P5/18
IPC分类号 ：
H01P5/18
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-07-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 5/18
申请日 : 20210319
申请日 : 20210319
2021-07-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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