一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器
授权
摘要
本发明公开了一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器,包括硅衬底,沿硅衬底的中心轴线两侧分别对称设有通孔,两个通孔内分别采用铜材料填充,二氧化硅作为铜和硅衬底之间的隔离层,即TSV‑I和TSV‑II,TSV‑I的上端连接输入臂的一端,输入臂的另一端连接RDL电感I;TSV‑I的下端连接直通臂的一端,直通臂的另一端连接RDL电感II;TSV‑II的上端连接耦合臂的一端,耦合臂的另一端连接RDL电感III,TSV‑II的下端连接隔离臂的一端,隔离臂的另一端连接RDL电感IV;本发明解决了目前定向耦合器存在的耦合度、隔离度不高且调试困难、生产环节复杂的问题。
基本信息
专利标题 :
一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113113754A
申请号 :
CN202110297244.0
公开(公告)日 :
2021-07-13
申请日 :
2021-03-19
授权号 :
CN113113754B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
王凤娟肖洒余宁梅杨媛朱樟明尹湘坤
申请人 :
西安理工大学
申请人地址 :
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 :
西安弘理专利事务所
代理人 :
宁文涛
优先权 :
CN202110297244.0
主分类号 :
H01P5/18
IPC分类号 :
H01P5/18
法律状态
2022-04-12 :
授权
2021-07-30 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 5/18
申请日 : 20210319
申请日 : 20210319
2021-07-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载