耦合电感结构
授权
摘要
公开了一种耦合电感结构，包括与磁芯匹配设置的第一绕组结构和第二绕组结构，第一绕组结构包括第一部分，第二绕组结构包括第二部分，第一部分和第二部分上的磁通至少部分抵消。本发明的耦合电感结构使第一绕组结构和第二绕组结构对应的第一部分和第二部分上的磁通至少部分抵消，抵消部分对应该第一绕组结构和第二绕组结构的互感，提高了耦合电感结构的功率密度。
基本信息
专利标题 ：
耦合电感结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112992505A
申请号 ：
CN202110175847.3
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2021-02-09
授权号 ：
CN112992505B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
代克危建颜佳佳
申请人 ：
南京矽力微电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市玄武区玄武大道699-27号7幢302室
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202110175847.3
主分类号 ：
H01F27/30
IPC分类号 ：
H01F27/30
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法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-12-31 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01F 27/30
登记生效日 : 20211217
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 南京矽力微电子技术有限公司
变更后权利人 : 合肥矽力杰半导体技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 210042 江苏省南京市玄武区玄武大道699-27号7幢302室
变更后权利人 : 230088 安徽省合肥市高新区天通路10号软件园集思空间1#368
登记生效日 : 20211217
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 南京矽力微电子技术有限公司
变更后权利人 : 合肥矽力杰半导体技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 210042 江苏省南京市玄武区玄武大道699-27号7幢302室
变更后权利人 : 230088 安徽省合肥市高新区天通路10号软件园集思空间1#368
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 27/30
申请日 : 20210209
申请日 : 20210209
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN112992505A.PDF
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