一种基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器，包括：自上而下依次层叠设置的顶部布线层、衬底层和底部布线层，顶部布线层设置在衬底层的上表面，底部布线层设置在衬底层的下表面，顶部布线层内设置有顶部互连线，衬底层内垂直贯穿设置有若干TSV通孔和若干同轴TSV通孔，底部布线层内设置有底部互连线。本发明的基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器，利用了同轴TSV内外层间的耦合特性并将其与衬底上下两部分多层布线交替连接，对电路拓扑中的耦合部分进行了等效，实现了1至4端口间结构的三维化，该结构相较于传统的耦合微带线结构其特性调整灵活度更高，减少了最小线间距等工艺限制的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512783A
申请号 ：
CN202210033820.5
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董刚熊伟朱樟明杨银堂
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210033820.5
主分类号 ：
H01P5/18
IPC分类号 ：
H01P5/18
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 5/18
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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