一种CVD金刚石涂层前WC-Co基体预处理工艺
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摘要
本发明公开了一种CVD金刚石涂层前WC‑Co基体预处理工艺，包括如下步骤：将WC‑Co基体进行碱蚀处理，然后进行酸蚀处理，再采用电化学腐蚀处理，获得表面深度脱钴的WC‑Co基体，然后使用金刚石微纳米复合粉末对经深度脱钴的WC‑Co基体进行干法喷砂、然后再使用含金刚石微纳米复合粉末的砂浆进行湿法喷砂，获得经喷砂处理的WC‑Co基体，再将经喷砂处理的WC‑Co基体置于含金刚石粉末的悬浊液中种植籽晶，最后进行热处理。本发明预处理工艺将深度脱钴与喷砂处理有效结合，在提高脱钴效率的同时增强膜基结合力，可有效提高涂层的耐磨性能和使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种CVD金刚石涂层前WC-Co基体预处理工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113106414A
申请号 ：
CN202110422011.9
公开（公告）日 ：
2021-07-13
申请日 ：
2021-04-20
授权号 ：
CN113106414B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
王立峰魏秋平李秋燕施应洁花腾宇王宝峰周科朝施帅施振施海平夏鑫余寒
申请人 ：
湖南新锋科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区金星中路528号银谷苑8栋1233
代理机构 ：
长沙市融智专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
钟丹
优先权 ：
CN202110422011.9
主分类号 ：
C23C16/02
IPC分类号 ：
C23C16/02 C23C16/27 C23F1/16 C23F1/32 C23F17/00 C23G1/02 C23G1/14 C25F3/02 B24C1/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/02
待镀材料的预处理
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-07-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/02
申请日 : 20210420
申请日 : 20210420
2021-07-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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