多晶金刚石制备的前期预处理装置
授权
摘要

一种多晶金刚石制备的前期预处理装置,包括底座、转动平台、定位柱、衬底罩和筛网,转动平台安装在底座上,转动平台上分布有定位柱,定位柱上设置有挤压机构,转动平台上设置有衬底罩,衬底罩内设置有移动筛网。将甩胶后的衬底涂胶面向上置于转动平台上并用衬底罩罩住,通过挤压机构压紧衬底罩,将金刚石微粉由筛网落在衬底表面,转动平台转动;或者是将装置置于盛有金刚石微粉的容器中,按压筛网至衬底上,对容器超声振荡处理。本实用新型可有效降低沉积多晶由中心到衬底边缘的成核速率差与沉积速率差,使整个衬底在沉积多晶金刚石的过程中沉积层中心到边缘的厚度保持一致,保证了沉积的多晶金刚石层由中心到边缘晶体质量统一,分布均匀。

基本信息
专利标题 :
多晶金刚石制备的前期预处理装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123195175.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-17
授权号 :
CN216514270U
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
王希玮彭燕曹振忠刘长江王笃福徐现刚
申请人 :
山东大学
申请人地址 :
山东省济南市历城区山大南路27号
代理机构 :
济南日新专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王书刚
优先权 :
CN202123195175.7
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  C30B29/04  C30B28/14  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332