锗多晶制备装置
授权
摘要

本公开提供一种锗多晶制备装置,其包括石墨舟、石英管、进气管、排气管、第一加热机构、第二加热机构以及移动机构;石墨舟用于盛放氧化锗;石英管用于收容盛放氧化锗的石墨舟;进气管和排气管设置在石英管的轴向两端,进气管用于通入吹扫气体或氢气,排气管用于将通入的吹扫气体或氢气排出,进气管的进气道的最大直径大于排气管的排气道的最小直径;第一加热机构用于对石英管的至少对应整个石墨舟的部分进行加热以在通过进气管和排气管使氢气在石英管内流动过程中石墨舟内的氧化锗还原成锗多晶;第二加热机构连接于移动机构,移动机构能够往复移动,移动机构用于驱动第二加热机构进行锗多晶的区熔。由此,避免在吹扫气吹扫过程中气体产生回流。

基本信息
专利标题 :
锗多晶制备装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123387340.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
CN216585319U
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
顾小英狄聚青赵青松牛晓东
申请人 :
安徽光智科技有限公司
申请人地址 :
安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
代理机构 :
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张向琨
优先权 :
CN202123387340.9
主分类号 :
C30B29/08
IPC分类号 :
C30B29/08  C30B28/08  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/08
法律状态
2022-05-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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