一种磁传感器阵列校准方法
授权
摘要
本发明提供一种磁传感器阵列校准方法，该方法通过构建磁传感器阵列的正交坐标系，确定磁传感器测量的磁场的输出值与标准磁场的实际值之间的函数关系，并根据记录的磁传感器的输出值获得磁传感器的转换系数。本发明提供了一种磁传感器阵列的准确校准方法，能够提高磁传感器阵列的校准精确度。另外，本发明还可以采用椭球拟合的方法获得所述磁传感器的每一个传感器轴对应的比例因子，并根据该比例因子以及转换系数与磁传感器的角度偏差之间的函数关系，进一步获得磁传感器的角度偏差。
基本信息
专利标题 ：
一种磁传感器阵列校准方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113514789A
申请号 ：
CN202110463248.1
公开（公告）日 ：
2021-10-19
申请日 ：
2021-04-23
授权号 ：
CN113514789B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
于向前宗秋刚肖池阶刘斯曲亚楠陈鸿飞邹鸿施伟红王永福陈傲高爽邵思霈
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高园园
优先权 ：
CN202110463248.1
主分类号 ：
G01R35/00
IPC分类号 ：
G01R35/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R35/00
包含在本小类其他组中的仪器的测试或校准
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-11-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 35/00
申请日 : 20210423
申请日 : 20210423
2021-10-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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