一种低剖面双端口高隔离的双圆极化天线阵列
授权
摘要
本发明公开了一种低剖面双端口高隔离的双圆极化天线阵列，属于微波天线技术领域。本发明由4个辐射单元组成，呈斜十字型分布，其中，每两个辐射单元为一组，采用差分馈电方式。通过全双工馈电网络，本发明提供的方案在实现双端口同向圆极化的同时，端口隔离度高，从而实现良好的收发隔离。本发明可用于卫星通信、民用通信系统以及其他微波通信系统中。
基本信息
专利标题 ：
一种低剖面双端口高隔离的双圆极化天线阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113328255A
申请号 ：
CN202110504811.5
公开（公告）日 ：
2021-08-31
申请日 ：
2021-05-10
授权号 ：
CN113328255B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
李家林潘泽昊奉丽冰赵青
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
张冉
优先权 ：
CN202110504811.5
主分类号 ：
H01Q13/10
IPC分类号 ：
H01Q13/10 H01Q21/06
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-09-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 13/10
申请日 : 20210510
申请日 : 20210510
2021-08-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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