本发明公开了一种用于优化VDMOS加工工艺的方法，该方法的最小光刻层数为4层，分别是有源区光刻、多晶硅光刻、接触孔光刻、金属层光刻；本发明利用多晶硅光刻同时定义栅极、场板图形、P‑body、N+注入图形，其中body注入图形包括结终端保护环结构。即利用多晶硅光刻同时进行有源区和结终端保护环的P注入形成P‑body，再进行N+注入，实现栅极、场板、P‑body、N+图形的定义；利用接触孔光刻先刻蚀一部分N+区形成N‑source，最后进行P+注入形成P‑body区的欧姆接触，实现N‑source、P‑body区欧姆接触图形的定义。本发明对现有VDMOS版图设计及加工工艺进行改进，将现有的六道光刻版VDMOS工艺降低为四道版，并保证了器件性能无明显退化，由此节省了两层光刻工艺，从而缩短工艺流程、降低工艺成本。