本发明公开了一种FDSOI器件的沟道制作工艺优化方法，其可使沟道减薄，以满足栅极长度缩短、良好短沟道效应控制作用，同时可避免因沟道减薄而导致的源漏极电阻值增加、外延生长源漏极缺陷等问题出现，沟道制作工艺优化方法包括以下步骤：在晶圆上生长衬底，在衬底上依次制备隔离槽、沟道层、栅极层、源漏极区；对栅极层进行选择性刻蚀，使栅极层下方的沟道层暴露出来；选择性氧化暴露出的沟道层，获取第一沟道区氧化硅，第一沟道区氧化硅的厚度为第一预定厚度；刻蚀去除第一沟道区氧化硅，获取第二刻蚀槽；在第二刻蚀槽内氧化生长第二沟道区氧化硅，第二沟道区氧化硅的厚度为第二预定厚度。