一种掩模版优化方法及晶体管栅极制作工艺方法

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摘要

本发明公开了一种掩模版优化方法及晶体管栅极制作工艺方法，该方法基于OPC修正模型实现，其特征在于，掩模版优化步骤包括：提供一目标版图；基于目标版图获取待成型的掩模版图型，掩模版图型包括栅极图型；判断栅极图型的宽度尺寸是否符合预先设定的阈值，若是，则进入下一步骤；获取辅助图型，将辅助图型作为预补值，基于预补值构建OPC修正模型；通过OPC修正模型对交界区域的栅极图型进行自动修正，获得优化掩模版。

基本信息

专利标题：

一种掩模版优化方法及晶体管栅极制作工艺方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114114825A

申请号：

CN202210096861.9

公开（公告）日：

2022-03-01

申请日：

2022-01-27

授权号：

CN114114825B

授权日：

2022-04-15

发明人：

吴宗晔叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰

申请人：

广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司

申请人地址：

广东省广州市黄埔区开发区开源大道136号A栋

代理机构：

无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹慧萍

优先权：

CN202210096861.9

主分类号：

G03F1/36

IPC分类号：

G03F1/36 G03F7/20 H01L21/28