制作应变硅晶体管的方法
授权
摘要
一种制作应变硅晶体管的方法。首先提供一半导体衬底，该半导体衬底上包括有一栅极、至少一间隙壁以及一源极/漏极区域。然后进行一第一快速升温退火工艺，接着移除该间隙壁，并形成一高张力薄膜(high tensile stress film)于该栅极与该源极/漏极区域表面，随后进行一第二快速升温退火工艺。
基本信息
专利标题 ：
制作应变硅晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979786A
申请号 ：
CN200510126986.8
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄正同梁佳文郑子铭沈泽民盛义忠
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510126986.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2010-09-15 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1979786A.PDF
PDF下载
2、
CN1979786B.PDF
PDF下载
