制作应变硅晶体管的方法
授权
摘要
本发明是揭露一种制作应变硅晶体管的方法，该方法包括下列步骤：首先提供一半导体衬底，且该半导体衬底上包括至少一栅极结构。然后进行一蚀刻工艺，以于该栅极结构相对两侧的该半导体衬底中形成二凹槽，并对该半导体衬底进行一氧气冲洗(O2 flush)。接着对该半导体衬底进行一清洗工艺，然后进行一选择性外延成长工艺，以于该些凹槽内分别形成一外延层，当作源极/漏极。
基本信息
专利标题 ：
制作应变硅晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941297A
申请号 ：
CN200510107198.4
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴至宁戴炘李忠儒萧维沧
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510107198.4
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-07-15 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
