一种二维层状异质结Ge-GeH、光电阳极材料及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种二维层状异质结Ge‑GeH、光电阳极材料及其制备方法，Ge‑GeH异质结的制备方法包括如下步骤：S1.将锗单质和钙单质按比例混合均匀后煅烧，冷却后得到混合物；锗单质与钙单质的质量比为1：(0.4～0.8)；S2.将S1得到的混合物与浓盐酸混合，在真空条件下搅拌反应40～55h，洗涤，超声处理，所得即为二维层状异质结Ge‑GeH。本发明制备得到的二维层状异质结Ge‑GeH具有优异的光电响应性能，可与商业导电碳粉混合用于制备PEC型光电探测系统中的光电阳极材料。
基本信息
专利标题 ：
一种二维层状异质结Ge-GeH、光电阳极材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113394023A
申请号 ：
CN202110625764.X
公开（公告）日 ：
2021-09-14
申请日 ：
2021-06-04
授权号 ：
CN113394023B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
罗劭娟吴梓环招家富王林杰邱全源李泽宇陆凤连冯斯桐欧金法吴传德
申请人 ：
广东工业大学
申请人地址 ：
广东省广州市越秀区东风东路729号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈嘉毅
优先权 ：
CN202110625764.X
主分类号 ：
H01G9/20
IPC分类号 ：
H01G9/20 C01B6/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G9/00
电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法
H01G9/20
光敏器件
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-10-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 9/20
申请日 : 20210604
申请日 : 20210604
2021-09-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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