一种金属杂质原子掺杂的硅酸铒及其制备方法和应用
授权
摘要
本发明公开了一种金属杂质原子掺杂的硅酸铒及其制备方法和在薄膜光波导放大器中的应用。制备方法包括步骤：将有机铒化合物、金属杂质原子的前驱体均匀分散于流动性硅烷树脂中，所得溶胶旋涂于单晶硅片表面，经热处理得到金属杂质原子掺杂的硅酸铒；金属杂质原子掺杂的硅酸铒中，掺杂的金属离子的价态与Er3+不相同，且所述金属离子的半径比Er3+的半径小30％以上。金属杂质原子掺杂的硅酸铒镶嵌于结晶氧化硅基质中，晶型为β‑Er2Si2O7，发光强度相比不掺杂可提高近一百倍，LDP可达1.3×1019cm‑3·s，制备方法与集成工艺兼容，有望用于高增益的薄膜光波导放大器。
基本信息
专利标题 ：
一种金属杂质原子掺杂的硅酸铒及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113564709A
申请号 ：
CN202110646627.4
公开（公告）日 ：
2021-10-29
申请日 ：
2021-06-10
授权号 ：
CN113564709B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
李东升尚华宝杨德仁
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
高佳逸
优先权 ：
CN202110646627.4
主分类号 ：
C30B29/34
IPC分类号 ：
C30B29/34 C30B1/02 C30B1/10 C09K11/79
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/34
硅酸盐
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-11-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/34
申请日 : 20210610
申请日 : 20210610
2021-10-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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