CD200+亚群脐带间充质干细胞的培养方法及其所用的培养基

CD200+亚群脐带间充质干细胞的培养方法及其所用的培养...

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摘要

本发明涉及生物医学领域，具体而言，涉及一种CD200+亚群脐带间充质干细胞的培养方法及其所用的培养基。该培养基为添加如下成分的DMEM/F12培养基：8v/v％～12v/v％FBS、FGF 8ng/ml～12ng/ml、BDNF 10ng/ml～30ng/ml以及NT3 10ng/ml～30ng/ml。利用该培养基对CD200⁺亚群脐带间充质干细胞进行培养能够大大加快脊髓损伤的修复。

基本信息

专利标题：

CD200+亚群脐带间充质干细胞的培养方法及其所用的培养基

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113583948A

申请号：

CN202110660292.1

公开（公告）日：

2021-11-02

申请日：

2021-06-15

授权号：

CN113583948B

授权日：

2022-06-14

发明人：

倪琳

申请人：

天津长和生物技术有限公司

申请人地址：

天津市蓟县盘山南路南侧许家台村东侧

代理机构：

北京华进京联知识产权代理有限公司

代理人：

信建

优先权：

CN202110660292.1

主分类号：

C12N5/0775

IPC分类号：

C12N5/0775 A61K35/28 A61P25/28