CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法
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摘要
本发明提供了一种CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法，具体步骤如下：（1）利用铜粉、锌粉、锡粉、硒粉和硫粉制备CZTSSe前驱体溶液及其薄膜，将CZTSSe前驱体薄膜硒化处理，制得CZTSSe吸收层薄膜；（2）使用热蒸发法在CZTSSe吸收层薄膜上热蒸一层GeSe2，热蒸发时将腔室抽真空；（3）将步骤（2）中得到的沉积GeSe2后的薄膜在快速升温炉中进行表面后处理，处理时快速升温炉中保持惰性气体氛围；（4）处理完毕后，待快速升温炉自然冷却至室温后将薄膜取出，得到改性CZTSSe吸收层薄膜。使用此工艺处理后的CZTSSe薄膜太阳能电池光电转换效率由9.71%提高到11.38%。
基本信息
专利标题 ：
CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113410340A
申请号 ：
CN202110683858.2
公开（公告）日 ：
2021-09-17
申请日 ：
2021-06-21
授权号 ：
CN113410340B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
周正基张鑫武四新
申请人 ：
河南大学
申请人地址 ：
河南省开封市顺河区明伦街85号
代理机构 ：
郑州优盾知识产权代理有限公司
代理人 ：
王红培
优先权 ：
CN202110683858.2
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0216 H01L31/032
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法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-10-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20210621
申请日 : 20210621
2021-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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