存储器设备及其操作方法
公开
摘要
本公开的实施例涉及存储器设备及其操作方法。一种存储器设备包括：公共源极线、存储器单元阵列、位线和导电层。公共源极线被形成在衬底上。存储器单元阵列被形成在公共源极线上。位线被连接到存储器单元阵列。导电层被形成在位线之上。在擦除操作中，存储器设备通过增加施加到导电层的电压，通过电容耦合将位线的电压增加到擦除电压。
基本信息
专利标题 ：
存储器设备及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582404A
申请号 ：
CN202110776541.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-07-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金在雄
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
罗利娜
优先权 ：
CN202110776541.3
主分类号 ：
G11C16/14
IPC分类号 ：
G11C16/14 G11C16/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
G11C16/14
用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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