一种铋纳米颗粒修饰稀松二氧化钛纳米管基的镁金属负极及其制...
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摘要
本发明属于镁电池技术领域，具体涉及一种铋纳米颗粒修饰稀松二氧化钛纳米管基的镁金属负极及其制备方法。通过设计采用亲镁性金属Bi纳米颗粒修饰稀松二氧化钛纳米管阵列作为镁金属负极的载体，利用具有较好镁金属润湿性的Bi颗粒来有效改善镁金属沉积的成核过电势，稀松的纳米管提供镁金属的限域沉积空间，最终可显著改善镁金属负极的动力学和循环性能。
基本信息
专利标题 ：
一种铋纳米颗粒修饰稀松二氧化钛纳米管基的镁金属负极及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113540432A
申请号 ：
CN202110803495.1
公开（公告）日 ：
2021-10-22
申请日 ：
2021-07-16
授权号 ：
CN113540432B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王锦山洪振生黄航
申请人 ：
福建师范大学
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县上街大学城福建师大科技处
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
吴姗姗
优先权 ：
CN202110803495.1
主分类号 ：
H01M4/48
IPC分类号 ：
H01M4/48 H01M10/054 B82Y30/00 B82Y40/00
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法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-11-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/48
申请日 : 20210716
申请日 : 20210716
2021-10-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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