用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器及制备方法，其特征在于，包括：底部电极；本征Ge衬底层，覆盖所述底部电极；多个Ge纳米柱，呈周期性的排布于所述本征Ge衬底层上；所述Ge纳米柱的表面吸附有金属纳米颗粒；所述金属的功函数大于4.46eV；石墨烯电极，覆盖在所述多个Ge纳米柱上，并和所述本征Ge衬底层间隔非导电的介质材料。本发明提供的用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器，暗电流小、光电流以及响应度较高，具有较高的探测性能。
基本信息
专利标题 ：
用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388649A
申请号 ：
CN202111294721.4
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王利明张宁宁胡辉勇王博张一驰杨茂龙郝跃凯
申请人 ：
西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼3期1号楼1单元
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王海栋
优先权 ：
CN202111294721.4
主分类号 ：
H01L31/108
IPC分类号 ：
H01L31/108 H01L31/0288 H01L31/18 B82Y15/00 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/108
申请日 : 20211103
申请日 : 20211103
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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