暗电流校准方法及相关联像素电路系统
实质审查的生效
摘要
本文中公开暗电流校准方法及相关联像素电路系统。用于校准暗电流的所述方法包含获取图像传感器的像素阵列的第一多个像素的至少一个暗电流帧。所述暗电流帧含有在晶体管被接通从而停用光电二极管时在曝光周期期间获得的所述对应像素的个别暗电流的读数。所述方法还包含获取所述图像传感器的所述像素阵列的第二多个像素的至少一个正常帧。所述正常帧含有当所述晶体管被切断时在所述曝光周期期间获得的所述对应像素的个别信号的读数。所述方法包含从所述至少一个正常帧减去所述至少一个暗电流帧。
基本信息
专利标题 ：
暗电流校准方法及相关联像素电路系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114449188A
申请号 ：
CN202111054859.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-09-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马渕圭司
申请人 ：
豪威科技股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘媛媛
优先权 ：
CN202111054859.7
主分类号 ：
H04N5/361
IPC分类号 ：
H04N5/361 H04N5/369 H04N5/3745
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 5/361
申请日 : 20210909
申请日 : 20210909
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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