具有包含金属插塞的狭缝结构的微电子装置及相关方法及系统
实质审查的生效
摘要

本申请案涉及具有包含金属插塞的狭缝结构的微电子装置及相关方法及系统。微电子装置可包含包括绝缘结构与导电结构的竖直交替序列的堆叠结构,所述堆叠结构划分成块部分。所述微电子装置可另外包含水平插入于所述堆叠结构的所述块部分之间的狭缝结构。所述狭缝结构中的每一者可包含:电介质衬层,其覆盖所述堆叠结构的侧面及下伏于所述堆叠结构的额外结构的上面;及插塞结构,其包括由所述电介质衬层包围的至少一种金属。

基本信息
专利标题 :
具有包含金属插塞的狭缝结构的微电子装置及相关方法及系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388516A
申请号 :
CN202111159198.4
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-09-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
罗双强I·V·恰雷J·B·德胡特
申请人 :
美光科技公司
申请人地址 :
美国爱达荷州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
王龙
优先权 :
CN202111159198.4
主分类号 :
H01L27/11524
IPC分类号 :
H01L27/11524  H01L27/11548  H01L27/11556  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的,例如,NAND
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20210930
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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