多层电子组件
公开
摘要
本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层；侧边缘部，分别设置在主体的侧表面上；以及外电极，分别设置在主体的端表面上。主体包括电容形成部和覆盖部，电容形成部包括与介电层交替设置的内电极，覆盖部分别设置在电容形成部的上表面和下表面上。Ga2/Ga1大于或等于0.8且小于1.0，并且Ga2/Gc1大于或等于0.8且小于1.0。a1是电容形成部的中央部，a2是电容形成部的与覆盖部中的一个覆盖部相邻的边界部，c1是所述一个覆盖部的与所述电容形成部相邻的边界部。Ga1、Ga2和Gc1分别是a1、a2和c1处的介电晶粒的平均尺寸。
基本信息
专利标题 ：
多层电子组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520115A
申请号 ：
CN202111191491.9
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金亨旭白承仁洪智秀张银河朴宰成李忠垠
申请人 ：
三星电机株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛丞丞
优先权 ：
CN202111191491.9
主分类号 ：
H01G4/30
IPC分类号 ：
H01G4/30 H01G4/012
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/30
叠层电容器
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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