一种基于孔隙类型细分的缝洞型储层饱和度模型建立方法
授权
摘要
本发明提供一种基于孔隙类型细分的缝洞型储层饱和度模型建立方法，包括以下步骤，步骤1：确定缝洞型储层孔隙类型；步骤2：基于缝洞型储层中的孔隙类型，进行饱和度模型分析；步骤3：建立缝洞型储层饱和度模型；步骤4：确定饱和度模型参数；步骤5：依据所述饱和度模型和饱和度参数进行饱和度计算。本发明解决了现有技术在各向异性储层中的饱和度模型中孔隙指数m和饱和度指数n变化范围大(不适用性)的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种基于孔隙类型细分的缝洞型储层饱和度模型建立方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113989433A
申请号 ：
CN202111249858.8
公开（公告）日 ：
2022-01-28
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
CN113989433B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
王海涛赖富强苏俊磊黄兆辉王敏刘源琦蒋国强张晓树夏小雪刘粤蛟臧永钤欧发辉
申请人 ：
重庆科技学院
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区大学城东路20号
代理机构 ：
重庆蕴博君晟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩慧芳
优先权 ：
CN202111249858.8
主分类号 ：
G06T17/00
IPC分类号 ：
G06T17/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06T
一般的图像数据处理或产生
G06T17/00
用于计算机制图的3D建模
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2022-02-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06T 17/00
申请日 : 20211026
申请日 : 20211026
2022-01-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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