一种建立缝洞型储层电导率模型的方法及应用
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种建立缝洞型储层电导率模型的方法与应用,其中方法,包括:步骤1.经过理论推导,溶洞储层电导率表达式:式中,σbv为溶洞储层的电导率,σm为储层基质电导率,σv为溶洞电导率,Φv为溶洞孔隙度,Φf为裂缝孔隙度;步骤2.缝洞型储层中,用θ表示裂缝倾角,当裂缝为水平裂缝时θ=0°,缝洞型储层的横向电导率视为溶洞储层电导率与裂缝电导率并联,缝洞型储层的垂向电导率视为溶洞储层电导率与裂缝电导率串联。本发明相较于现有技术,从理论上给出了缝洞型储层的双侧向电导率模型,相较于溶洞型储层、裂缝型储层的单一孔隙体系储层的电导率模型,本方法具有更广的适应性。

基本信息
专利标题 :
一种建立缝洞型储层电导率模型的方法及应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114429044A
申请号 :
CN202210069967.X
公开(公告)日 :
2022-05-03
申请日 :
2022-01-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王亮田杰司马立强刘红岐
申请人 :
成都理工大学
申请人地址 :
四川省成都市成华区二仙桥东三路1号
代理机构 :
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 :
刘妮
优先权 :
CN202210069967.X
主分类号 :
G06F30/20
IPC分类号 :
G06F30/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20220121
2022-05-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332