磁传感器设备
公开
摘要
本申请公开了磁传感器设备。一种集成传感器设备(920；970；1070)，包括：半导体衬底，包括水平霍尔元件(Hc)和大致位于该水平霍尔元件(Hc)上方的集成磁通量集中器(911；1011)，其中，第一磁通量集中器具有几何中心与水平霍尔元件的几何中心对齐的形状；并且其中该形状具有高度(H)和横向尺寸(D)，其中H≥30μm和/或其中(H/D)≥25％。集成磁通量集中器可部分并入“互连堆叠”(1223；1323)中。一种生产这种集成传感器设备的方法。
基本信息
专利标题 ：
磁传感器设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114442011A
申请号 ：
CN202111263588.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
Y·比多L·通贝兹
申请人 ：
迈来芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
瑞士伯韦
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈依心
优先权 ：
CN202111263588.6
主分类号 ：
G01R33/09
IPC分类号 ：
G01R33/09
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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